Транзистор КТ117

Характеристики транзистора	
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.	
Аналог		КТ117А		BRY56		
		КТ117Б		2N2647		
		КТ117В		2N4893		
		КТ117Г		MU4894		
Структура			 —	n-база		
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	—	 60 °C	150	мВт	
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ117А	—	≥5*	МГц	
		КТ117Б	—	≥5*		
		КТ117В	—	≥5*		
		КТ117Г	—	≥5*		
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ117А	—	30**	В	
		КТ117Б	—	15**		
		КТ117В	—	15**		
		КТ117Г	—	30**		
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб., 	КТ117А	 —	10	В	
		КТ117Б	—	10		
		КТ117В	—	10		
		КТ117Г	—	10		
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ117А	—	50	мА	
		КТ117Б	—	50		
		КТ117В	—	50		
		КТ117Г	—	50		
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ117А	30 В	≤1	мкА	
		КТ117Б	30 В	≤1		
		КТ117В	30 В	≤1		
		КТ117Г	30 В	≤1		
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ117А 	UБ1Б2 = 10 В	0.5…0.7		
		КТ117Б	UБ1Б2 = 10 В	0.65…0.9		
		КТ117В	UБ1Б2 = 10 В	0.5…0.7		
		КТ117Г	UБ1Б2 = 10 В	0.65…0.9		
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ117А	—	—	пФ	
		КТ117Б	—	—		
		КТ117В	—	—		
		КТ117Г	—	—		
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	 rКЭ нас,  r*БЭ нас	КТ117А	—	—	Ом	
		КТ117Б	—	—		
		КТ117В	—	—		
		КТ117Г	—	—		
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, Pвых	КТ117А	—	—	Дб, Ом, Вт	
		КТ117Б	—	—		
		КТ117В	—	—		
		КТ117Г	—	—		
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ117А	—	—	пс	
		КТ117Б	—	—		
		КТ117В	—	—		
		КТ117Г	—	—